GP2M004A065XG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GP2M004A065XG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252 TO-251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GP2M004A065XG
GP2M004A065XG Datasheet (PDF)
gp2m004a065xg.pdf
GP2M004A065CG GP2M004A065PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A
gp2m004a065xx.pdf
GP2M004A065HGGP2M004A065FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 4.0A
gp2m004a060xx.pdf
GP2M004A060HGGP2M004A060FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 4.0A
gp2m004a060xg.pdf
GP2M004A060CG GP2M004A060PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A
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