GP2M004A065XG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GP2M004A065XG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 98.4 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 15 nC
Tiempo de subida (tr): 22 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 67 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252 TO-251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GP2M004A065XG
GP2M004A065XG Datasheet (PDF)
gp2m004a065xg.pdf
GP2M004A065CG GP2M004A065PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A
gp2m004a065xx.pdf
GP2M004A065HGGP2M004A065FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 4.0A
gp2m004a060xx.pdf
GP2M004A060HGGP2M004A060FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 4.0A
gp2m004a060xg.pdf
GP2M004A060CG GP2M004A060PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A
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