GP2M004A065XG Todos los transistores

 

GP2M004A065XG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GP2M004A065XG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252 TO-251
     - Selección de transistores por parámetros

 

GP2M004A065XG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:503K  globalpower
 gp2m004a065xg.pdf pdf_icon

GP2M004A065XG

GP2M004A065CG GP2M004A065PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A

 2.1. Size:395K  globalpower
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GP2M004A065XG

GP2M004A065HGGP2M004A065FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 4.0A

 4.1. Size:419K  globalpower
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GP2M004A065XG

GP2M004A060HGGP2M004A060FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 4.0A

 4.2. Size:514K  globalpower
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GP2M004A065XG

GP2M004A060CG GP2M004A060PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A

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History: CP650 | WM02N08L | HGN035N08AL

 

 
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