Справочник MOSFET. GP2M004A065XG

 

GP2M004A065XG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GP2M004A065XG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 98.4 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
   Время нарастания (tr): 22 ns
   Выходная емкость (Cd): 67 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-252 TO-251

 Аналог (замена) для GP2M004A065XG

 

 

GP2M004A065XG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:503K  globalpower
gp2m004a065xg.pdf

GP2M004A065XG GP2M004A065XG

GP2M004A065CG GP2M004A065PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A

 2.1. Size:395K  globalpower
gp2m004a065xx.pdf

GP2M004A065XG GP2M004A065XG

GP2M004A065HGGP2M004A065FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 4.0A

 4.1. Size:419K  globalpower
gp2m004a060xx.pdf

GP2M004A065XG GP2M004A065XG

GP2M004A060HGGP2M004A060FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 4.0A

 4.2. Size:514K  globalpower
gp2m004a060xg.pdf

GP2M004A065XG GP2M004A065XG

GP2M004A060CG GP2M004A060PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top