GP2M005A050XG Todos los transistores

 

GP2M005A050XG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GP2M005A050XG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252 TO-251
     - Selección de transistores por parámetros

 

GP2M005A050XG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:500K  globalpower
 gp2m005a050xg.pdf pdf_icon

GP2M005A050XG

GP2M005A050CG GP2M005A050PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

 2.1. Size:366K  globalpower
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GP2M005A050XG

GP2M005A050HGGP2M005A050FGFeatures N-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 4.5A

 5.1. Size:410K  globalpower
 gp2m005a060xg.pdf pdf_icon

GP2M005A050XG

GP2M005A060HGGP2M005A060FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 4.2A

 5.2. Size:507K  globalpower
 gp2m005a060xxx.pdf pdf_icon

GP2M005A050XG

GP2M005A060CG GP2M005A060PG(H) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.2A

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History: IRF7309Q | IRLI630A | STH140N6F7 | BFC49 | MXP4004BF | P1603BEBB | DMN2170U

 

 
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