GP2M005A050XG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GP2M005A050XG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO-252 TO-251

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GP2M005A050XG datasheet

 ..1. Size:500K  globalpower
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GP2M005A050XG

GP2M005A050CG GP2M005A050PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

 2.1. Size:366K  globalpower
 gp2m005a050xx.pdf pdf_icon

GP2M005A050XG

GP2M005A050HG GP2M005A050FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

 5.1. Size:410K  globalpower
 gp2m005a060xg.pdf pdf_icon

GP2M005A050XG

GP2M005A060HG GP2M005A060FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.2A

 5.2. Size:507K  globalpower
 gp2m005a060xxx.pdf pdf_icon

GP2M005A050XG

GP2M005A060CG GP2M005A060PG(H) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.2A

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