Справочник MOSFET. GP2M005A050XG

 

GP2M005A050XG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP2M005A050XG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252 TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GP2M005A050XG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:500K  globalpower
 gp2m005a050xg.pdf pdf_icon

GP2M005A050XG

GP2M005A050CG GP2M005A050PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

 2.1. Size:366K  globalpower
 gp2m005a050xx.pdf pdf_icon

GP2M005A050XG

GP2M005A050HGGP2M005A050FGFeatures N-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 4.5A

 5.1. Size:410K  globalpower
 gp2m005a060xg.pdf pdf_icon

GP2M005A050XG

GP2M005A060HGGP2M005A060FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 4.2A

 5.2. Size:507K  globalpower
 gp2m005a060xxx.pdf pdf_icon

GP2M005A050XG

GP2M005A060CG GP2M005A060PG(H) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.2A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 4N65B | NX3008NBKV | AP85T03GH | SI2343CDS | 2SJ144 | FRL234D | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.