GP2M005A050XG datasheet, аналоги, параметры транзистора

GP2M005A050XG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GP2M005A050XG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-252 TO-251

Аналог (замена) для GP2M005A050XG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:500K globalpower
gp2m005a050xg.pdf pdf_icon

GP2M005A050CG GP2M005A050PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

2.1. Size:366K globalpower
gp2m005a050xx.pdf pdf_icon

GP2M005A050HG GP2M005A050FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

5.1. Size:410K globalpower
gp2m005a060xg.pdf pdf_icon

GP2M005A060HG GP2M005A060FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.2A

5.2. Size:507K globalpower
gp2m005a060xxx.pdf pdf_icon

GP2M005A060CG GP2M005A060PG(H) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.2A