GP2M007A065XG Todos los transistores

 

GP2M007A065XG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GP2M007A065XG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 103 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220F
 

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GP2M007A065XG Datasheet (PDF)

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GP2M007A065XG

GP2M007A065HGGP2M007A065FGN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 6.5A

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GP2M007A065XG

GP2M007A080FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge Improved dv/dt capability800V 7A

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GP2M007A065XG

GP2M005A050HGGP2M005A050FGFeatures N-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 4.5A

 8.2. Size:410K  globalpower
 gp2m005a060xg.pdf pdf_icon

GP2M007A065XG

GP2M005A060HGGP2M005A060FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 4.2A

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History: VP3203N3 | AP6N1R7CDT

 

 
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