GP2M007A065XG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GP2M007A065XG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
Время нарастания (tr): 46 ns
Выходная емкость (Cd): 103 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO-220 TO-220F
Аналог (замена) для GP2M007A065XG
GP2M007A065XG Datasheet (PDF)
gp2m007a065xg.pdf
GP2M007A065HGGP2M007A065FGN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 6.5A
gp2m007a080f.pdf
GP2M007A080FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge Improved dv/dt capability800V 7A
gp2m005a050xx.pdf
GP2M005A050HGGP2M005A050FGFeatures N-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 4.5A
gp2m005a060xg.pdf
GP2M005A060HGGP2M005A060FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 4.2A
gp2m004a060xx.pdf
GP2M004A060HGGP2M004A060FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 4.0A
gp2m002a060xx.pdf
GP2M002A060CG GP2M002A060PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A
gp2m004a065xx.pdf
GP2M004A065HGGP2M004A065FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 4.0A
gp2m009a090ng.pdf
GP2M009A090NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 9A
gp2m004a060xg.pdf
GP2M004A060CG GP2M004A060PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A
gp2m008a060xxx.pdf
GP2M008A060CG GP2M008A060PG(H) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A
gp2m002a065xx.pdf
GP2M002A065HGGP2M002A065FGFeatures N-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 1.8A
gp2m002a065xg.pdf
GP2M002A065CG GP2M002A065PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A
gp2m005a050xg.pdf
GP2M005A050CG GP2M005A050PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A
gp2m009a090fg.pdf
GP2M009A090FGN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge Improved dv/dt capability 900V 9A
gp2m004a065xg.pdf
GP2M004A065CG GP2M004A065PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A
gp2m005a060xxx.pdf
GP2M005A060CG GP2M005A060PG(H) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.2A
gp2m002a060xg.pdf
GP2M002A060HGGP2M002A060FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 2.0A
gp2m008a060xgx.pdf
GP2M008A060HGGP2M008A060FG(H)FeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 7.5A
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
