GP2M007A080F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GP2M007A080F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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GP2M007A080F datasheet

 ..1. Size:242K  globalpower
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GP2M007A080F

GP2M007A080F N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge Improved dv/dt capability 800V 7A

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GP2M007A080F

GP2M007A065HG GP2M007A065FG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

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GP2M007A080F

GP2M005A050HG GP2M005A050FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

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GP2M007A080F

GP2M005A060HG GP2M005A060FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.2A

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