GP2M007A080F Todos los transistores

 

GP2M007A080F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GP2M007A080F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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GP2M007A080F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  globalpower
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GP2M007A080F

GP2M007A080FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge Improved dv/dt capability800V 7A

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 gp2m007a065xg.pdf pdf_icon

GP2M007A080F

GP2M007A065HGGP2M007A065FGN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 6.5A

 8.1. Size:366K  globalpower
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GP2M007A080F

GP2M005A050HGGP2M005A050FGFeatures N-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 4.5A

 8.2. Size:410K  globalpower
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GP2M007A080F

GP2M005A060HGGP2M005A060FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 4.2A

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History: FTK4828 | R5013ANX | IRF1018ESPBF | IRF1018ESLPBF | TMU2N60AZ | STB11NM60 | R6507ENJ

 

 
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