GP2M007A080F - аналоги и даташиты транзистора

 

GP2M007A080F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GP2M007A080F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для GP2M007A080F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP2M007A080F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  globalpower
 gp2m007a080f.pdf pdf_icon

GP2M007A080F

GP2M007A080FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge Improved dv/dt capability800V 7A

 5.1. Size:416K  globalpower
 gp2m007a065xg.pdf pdf_icon

GP2M007A080F

GP2M007A065HGGP2M007A065FGN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 6.5A

 8.1. Size:366K  globalpower
 gp2m005a050xx.pdf pdf_icon

GP2M007A080F

GP2M005A050HGGP2M005A050FGFeatures N-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 4.5A

 8.2. Size:410K  globalpower
 gp2m005a060xg.pdf pdf_icon

GP2M007A080F

GP2M005A060HGGP2M005A060FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 4.2A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GP2M004A060XX , GP2M004A065XG , GP2M004A065XX , GP2M005A050XG , GP2M005A050XX , GP2M005A060XG , GP2M005A060XXX , GP2M007A065XG , 5N60 , GP2M008A060XGX , GP2M008A060XXX , GP2M009A090FG , GP2M009A090NG , GP2M010A060X , GP2M010A065X , GP2M011A090NG , GP2M012A060X .

History: FQU6N40CTU | VBZE12N06 | NTMS4873NFR2G | AUIRFP4410Z | HMS35N10K | APT50M75B2FLL | SQJ479EP

 

 
Back to Top

 


 
.