GP2M007A080F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: GP2M007A080F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для GP2M007A080F
GP2M007A080F Datasheet (PDF)
gp2m007a080f.pdf
GP2M007A080FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge Improved dv/dt capability800V 7A
gp2m007a065xg.pdf
GP2M007A065HGGP2M007A065FGN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 6.5A
gp2m005a050xx.pdf
GP2M005A050HGGP2M005A050FGFeatures N-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 4.5A
gp2m005a060xg.pdf
GP2M005A060HGGP2M005A060FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 4.2A
Другие MOSFET... GP2M004A060XX , GP2M004A065XG , GP2M004A065XX , GP2M005A050XG , GP2M005A050XX , GP2M005A060XG , GP2M005A060XXX , GP2M007A065XG , RFP50N06 , GP2M008A060XGX , GP2M008A060XXX , GP2M009A090FG , GP2M009A090NG , GP2M010A060X , GP2M010A065X , GP2M011A090NG , GP2M012A060X .
History: VBK8238 | 5LP01S | AP4432GM | 2N3994 | AM90P06-06P | CS7N60CP
History: VBK8238 | 5LP01S | AP4432GM | 2N3994 | AM90P06-06P | CS7N60CP
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor