GP2M007A080F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GP2M007A080F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для GP2M007A080F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP2M007A080F даташит

 ..1. Size:242K  globalpower
 gp2m007a080f.pdf pdf_icon

GP2M007A080F

GP2M007A080F N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge Improved dv/dt capability 800V 7A

 5.1. Size:416K  globalpower
 gp2m007a065xg.pdf pdf_icon

GP2M007A080F

GP2M007A065HG GP2M007A065FG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

 8.1. Size:366K  globalpower
 gp2m005a050xx.pdf pdf_icon

GP2M007A080F

GP2M005A050HG GP2M005A050FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

 8.2. Size:410K  globalpower
 gp2m005a060xg.pdf pdf_icon

GP2M007A080F

GP2M005A060HG GP2M005A060FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.2A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GP2M004A060XX, GP2M004A065XG, GP2M004A065XX, GP2M005A050XG, GP2M005A050XX, GP2M005A060XG, GP2M005A060XXX, GP2M007A065XG, AON7410, GP2M008A060XGX, GP2M008A060XXX, GP2M009A090FG, GP2M009A090NG, GP2M010A060X, GP2M010A065X, GP2M011A090NG, GP2M012A060X