GP2M008A060XXX Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GP2M008A060XXX

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO-252 TO-251

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GP2M008A060XXX datasheet

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GP2M008A060XXX

GP2M008A060CG GP2M008A060PG(H) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

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GP2M008A060XXX

GP2M008A060HG GP2M008A060FG(H) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

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GP2M008A060XXX

GP2M007A065HG GP2M007A065FG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

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GP2M008A060XXX

GP2M005A050HG GP2M005A050FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

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