GP2M008A060XXX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: GP2M008A060XXX
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-252 TO-251
Аналог (замена) для GP2M008A060XXX
GP2M008A060XXX Datasheet (PDF)
gp2m008a060xxx.pdf
GP2M008A060CG GP2M008A060PG(H) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A
gp2m008a060xgx.pdf
GP2M008A060HGGP2M008A060FG(H)FeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 7.5A
gp2m007a065xg.pdf
GP2M007A065HGGP2M007A065FGN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 6.5A
gp2m005a050xx.pdf
GP2M005A050HGGP2M005A050FGFeatures N-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 4.5A
Другие MOSFET... GP2M004A065XX , GP2M005A050XG , GP2M005A050XX , GP2M005A060XG , GP2M005A060XXX , GP2M007A065XG , GP2M007A080F , GP2M008A060XGX , 4435 , GP2M009A090FG , GP2M009A090NG , GP2M010A060X , GP2M010A065X , GP2M011A090NG , GP2M012A060X , GP2M012A080NG , GP2M013A050F .
History: DH065N04 | SWN10N80K2 | 2SK2771-01R | BLP065N10GL-P | RSJ450N04 | AP9685GM-HF
History: DH065N04 | SWN10N80K2 | 2SK2771-01R | BLP065N10GL-P | RSJ450N04 | AP9685GM-HF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet