GP2M008A060XXX - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: GP2M008A060XXX
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-252 TO-251
Аналог (замена) для GP2M008A060XXX
GP2M008A060XXX Datasheet (PDF)
gp2m008a060xxx.pdf
GP2M008A060CG GP2M008A060PG(H) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A
gp2m008a060xgx.pdf
GP2M008A060HGGP2M008A060FG(H)FeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 7.5A
gp2m007a065xg.pdf
GP2M007A065HGGP2M007A065FGN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 6.5A
gp2m005a050xx.pdf
GP2M005A050HGGP2M005A050FGFeatures N-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 4.5A
Другие MOSFET... GP2M004A065XX , GP2M005A050XG , GP2M005A050XX , GP2M005A060XG , GP2M005A060XXX , GP2M007A065XG , GP2M007A080F , GP2M008A060XGX , 4435 , GP2M009A090FG , GP2M009A090NG , GP2M010A060X , GP2M010A065X , GP2M011A090NG , GP2M012A060X , GP2M012A080NG , GP2M013A050F .
History: SIRA88DP | PJA3430 | MTD5P06VT4G | DMT4002LPS | STB23NM60ND | TK39A60W | SI5N60L-TM3-T
History: SIRA88DP | PJA3430 | MTD5P06VT4G | DMT4002LPS | STB23NM60ND | TK39A60W | SI5N60L-TM3-T
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet