GP2M009A090NG Todos los transistores

 

GP2M009A090NG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GP2M009A090NG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 97 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 192 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN
 

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GP2M009A090NG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:562K  globalpower
 gp2m009a090ng.pdf pdf_icon

GP2M009A090NG

GP2M009A090NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 9A

 3.1. Size:240K  globalpower
 gp2m009a090fg.pdf pdf_icon

GP2M009A090NG

GP2M009A090FGN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge Improved dv/dt capability 900V 9A

 8.1. Size:416K  globalpower
 gp2m007a065xg.pdf pdf_icon

GP2M009A090NG

GP2M007A065HGGP2M007A065FGN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 6.5A

 8.2. Size:366K  globalpower
 gp2m005a050xx.pdf pdf_icon

GP2M009A090NG

GP2M005A050HGGP2M005A050FGFeatures N-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 4.5A

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History: CS1010 | SM6A08NSFP | STF20NM60D | AOB240L | BLS65R560-P | VBFB2412 | SI8401DB

 

 
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