GP2M009A090NG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GP2M009A090NG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 97 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для GP2M009A090NG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP2M009A090NG даташит

 ..1. Size:562K  globalpower
 gp2m009a090ng.pdf pdf_icon

GP2M009A090NG

GP2M009A090NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 9A

 3.1. Size:240K  globalpower
 gp2m009a090fg.pdf pdf_icon

GP2M009A090NG

GP2M009A090FG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge Improved dv/dt capability 900V 9A

 8.1. Size:416K  globalpower
 gp2m007a065xg.pdf pdf_icon

GP2M009A090NG

GP2M007A065HG GP2M007A065FG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

 8.2. Size:366K  globalpower
 gp2m005a050xx.pdf pdf_icon

GP2M009A090NG

GP2M005A050HG GP2M005A050FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GP2M005A050XX, GP2M005A060XG, GP2M005A060XXX, GP2M007A065XG, GP2M007A080F, GP2M008A060XGX, GP2M008A060XXX, GP2M009A090FG, IRFB3607, GP2M010A060X, GP2M010A065X, GP2M011A090NG, GP2M012A060X, GP2M012A080NG, GP2M013A050F, GP2M020A050N, GP2M020A050X