Справочник MOSFET. GP2M009A090NG

 

GP2M009A090NG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP2M009A090NG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 97 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для GP2M009A090NG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP2M009A090NG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:562K  globalpower
 gp2m009a090ng.pdf pdf_icon

GP2M009A090NG

GP2M009A090NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 9A

 3.1. Size:240K  globalpower
 gp2m009a090fg.pdf pdf_icon

GP2M009A090NG

GP2M009A090FGN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge Improved dv/dt capability 900V 9A

 8.1. Size:416K  globalpower
 gp2m007a065xg.pdf pdf_icon

GP2M009A090NG

GP2M007A065HGGP2M007A065FGN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 6.5A

 8.2. Size:366K  globalpower
 gp2m005a050xx.pdf pdf_icon

GP2M009A090NG

GP2M005A050HGGP2M005A050FGFeatures N-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 4.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GP2M005A050XX , GP2M005A060XG , GP2M005A060XXX , GP2M007A065XG , GP2M007A080F , GP2M008A060XGX , GP2M008A060XXX , GP2M009A090FG , AON7506 , GP2M010A060X , GP2M010A065X , GP2M011A090NG , GP2M012A060X , GP2M012A080NG , GP2M013A050F , GP2M020A050N , GP2M020A050X .

History: APT60M80L2VFRG | RJK2017DPP | QM3009S | BSC072N03LDG | QM3009K | SL2308

 

 
Back to Top

 


 
.