GP2M010A060X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GP2M010A060X
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 198 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220F
- Selección de transistores por parámetros
GP2M010A060X Datasheet (PDF)
gp2m010a060x.pdf

GP2M010A060HGP2M010A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 10A
gp2m010a065x.pdf

GP2M010A065HGP2M010A065FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge650V 9.5A
gp2m012a080ng.pdf

GP2M012A080NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A
gp2m013a050f.pdf

GP2M013A050FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 13A
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: LSE65R290HF | SSF11NS70UF | FDMS2510SDC | SI4368DY | CS5N60D | IRF1405ZS-7P | SWK15N04V
History: LSE65R290HF | SSF11NS70UF | FDMS2510SDC | SI4368DY | CS5N60D | IRF1405ZS-7P | SWK15N04V



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout