GP2M010A060X Todos los transistores

 

GP2M010A060X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GP2M010A060X
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 198 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220F
 

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GP2M010A060X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:406K  globalpower
 gp2m010a060x.pdf pdf_icon

GP2M010A060X

GP2M010A060HGP2M010A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 10A

 4.1. Size:401K  globalpower
 gp2m010a065x.pdf pdf_icon

GP2M010A060X

GP2M010A065HGP2M010A065FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge650V 9.5A

 8.1. Size:570K  globalpower
 gp2m012a080ng.pdf pdf_icon

GP2M010A060X

GP2M012A080NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A

 8.2. Size:242K  globalpower
 gp2m013a050f.pdf pdf_icon

GP2M010A060X

GP2M013A050FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 13A

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History: NCE65N520D | PJW1NA50 | IRFS7534PBF | PSMN3R0-30YL | BSC018N04LSG | SVF2N60CD | IRFH5106PBF

 

 
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