GP2M010A060X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GP2M010A060X
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 198 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220F
Búsqueda de reemplazo de GP2M010A060X MOSFET
GP2M010A060X Datasheet (PDF)
gp2m010a060x.pdf
GP2M010A060HGP2M010A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 10A
gp2m010a065x.pdf
GP2M010A065HGP2M010A065FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge650V 9.5A
gp2m012a080ng.pdf
GP2M012A080NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A
gp2m013a050f.pdf
GP2M013A050FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 13A
Otros transistores... GP2M005A060XG , GP2M005A060XXX , GP2M007A065XG , GP2M007A080F , GP2M008A060XGX , GP2M008A060XXX , GP2M009A090FG , GP2M009A090NG , IRLZ44N , GP2M010A065X , GP2M011A090NG , GP2M012A060X , GP2M012A080NG , GP2M013A050F , GP2M020A050N , GP2M020A050X , GP2M020A060N .
History: CS7807 | ELM321604A | SSF11NS70UF | SI7682DP | GP2M002A060XG
History: CS7807 | ELM321604A | SSF11NS70UF | SI7682DP | GP2M002A060XG
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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