Справочник MOSFET. GP2M010A060X

 

GP2M010A060X Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP2M010A060X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220F
 

 Аналог (замена) для GP2M010A060X

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP2M010A060X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:406K  globalpower
 gp2m010a060x.pdf pdf_icon

GP2M010A060X

GP2M010A060HGP2M010A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 10A

 4.1. Size:401K  globalpower
 gp2m010a065x.pdf pdf_icon

GP2M010A060X

GP2M010A065HGP2M010A065FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge650V 9.5A

 8.1. Size:570K  globalpower
 gp2m012a080ng.pdf pdf_icon

GP2M010A060X

GP2M012A080NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A

 8.2. Size:242K  globalpower
 gp2m013a050f.pdf pdf_icon

GP2M010A060X

GP2M013A050FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 13A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GP2M005A060XG , GP2M005A060XXX , GP2M007A065XG , GP2M007A080F , GP2M008A060XGX , GP2M008A060XXX , GP2M009A090FG , GP2M009A090NG , IRLZ44N , GP2M010A065X , GP2M011A090NG , GP2M012A060X , GP2M012A080NG , GP2M013A050F , GP2M020A050N , GP2M020A050X , GP2M020A060N .

History: CS6660

 

 
Back to Top

 


 
.