GP2M011A090NG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GP2M011A090NG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 416 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 89 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 297 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3PN
Búsqueda de reemplazo de GP2M011A090NG MOSFET
GP2M011A090NG Datasheet (PDF)
gp2m011a090ng.pdf
GP2M011A090NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 11A
gp2m010a060x.pdf
GP2M010A060HGP2M010A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 10A
gp2m012a080ng.pdf
GP2M012A080NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A
gp2m013a050f.pdf
GP2M013A050FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 13A
Otros transistores... GP2M007A065XG , GP2M007A080F , GP2M008A060XGX , GP2M008A060XXX , GP2M009A090FG , GP2M009A090NG , GP2M010A060X , GP2M010A065X , IRLB4132 , GP2M012A060X , GP2M012A080NG , GP2M013A050F , GP2M020A050N , GP2M020A050X , GP2M020A060N , GP2M023A050N , GSM1012 .
History: LPM9042 | PJA3439 | APT58F50J | FQP11N40 | 2SK1681 | TDM3532 | LPM9030
History: LPM9042 | PJA3439 | APT58F50J | FQP11N40 | 2SK1681 | TDM3532 | LPM9030
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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