GP2M011A090NG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: GP2M011A090NG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 89 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 297 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для GP2M011A090NG
GP2M011A090NG Datasheet (PDF)
gp2m011a090ng.pdf
GP2M011A090NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 11A
gp2m010a060x.pdf
GP2M010A060HGP2M010A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 10A
gp2m012a080ng.pdf
GP2M012A080NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A
gp2m013a050f.pdf
GP2M013A050FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 13A
Другие MOSFET... GP2M007A065XG , GP2M007A080F , GP2M008A060XGX , GP2M008A060XXX , GP2M009A090FG , GP2M009A090NG , GP2M010A060X , GP2M010A065X , 5N65 , GP2M012A060X , GP2M012A080NG , GP2M013A050F , GP2M020A050N , GP2M020A050X , GP2M020A060N , GP2M023A050N , GSM1012 .
History: SVG062R8NL5 | IRFS240A | IRFS230 | STU3N62K3 | HM4N10PR | ME60N03S | APT10050LVFRG
History: SVG062R8NL5 | IRFS240A | IRFS230 | STU3N62K3 | HM4N10PR | ME60N03S | APT10050LVFRG
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor