GP2M012A080NG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GP2M012A080NG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 416 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm

Encapsulados: TO-3PN

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GP2M012A080NG datasheet

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GP2M012A080NG

GP2M012A080NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A

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GP2M012A080NG

GP2M012A060H GP2M012A060F N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 12A

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GP2M012A080NG

GP2M010A060H GP2M010A060F N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 10A

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GP2M012A080NG

GP2M013A050F N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 13A

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