GP2M012A080NG - аналоги и даташиты транзистора

 

GP2M012A080NG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GP2M012A080NG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для GP2M012A080NG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP2M012A080NG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:570K  globalpower
 gp2m012a080ng.pdf pdf_icon

GP2M012A080NG

GP2M012A080NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A

 5.1. Size:403K  globalpower
 gp2m012a060x.pdf pdf_icon

GP2M012A080NG

GP2M012A060HGP2M012A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 12A

 8.1. Size:406K  globalpower
 gp2m010a060x.pdf pdf_icon

GP2M012A080NG

GP2M010A060HGP2M010A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 10A

 8.2. Size:242K  globalpower
 gp2m013a050f.pdf pdf_icon

GP2M012A080NG

GP2M013A050FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 13A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GP2M008A060XGX , GP2M008A060XXX , GP2M009A090FG , GP2M009A090NG , GP2M010A060X , GP2M010A065X , GP2M011A090NG , GP2M012A060X , IRFP250 , GP2M013A050F , GP2M020A050N , GP2M020A050X , GP2M020A060N , GP2M023A050N , GSM1012 , GSM1012E , GSM1013 .

History: APT22F100J | NTTFS005N04C | NCE0224D

 

 
Back to Top

 


 
.