GP2M012A080NG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GP2M012A080NG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 79 nC
trⓘ - Время нарастания: 90 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для GP2M012A080NG
GP2M012A080NG Datasheet (PDF)
gp2m012a080ng.pdf
GP2M012A080NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A
gp2m012a060x.pdf
GP2M012A060HGP2M012A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 12A
gp2m010a060x.pdf
GP2M010A060HGP2M010A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 10A
gp2m013a050f.pdf
GP2M013A050FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 13A
gp2m011a090ng.pdf
GP2M011A090NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 11A
gp2m010a065x.pdf
GP2M010A065HGP2M010A065FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge650V 9.5A
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: UP9T15G
History: UP9T15G
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918