GP2M012A080NG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GP2M012A080NG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для GP2M012A080NG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP2M012A080NG даташит

 ..1. Size:570K  globalpower
 gp2m012a080ng.pdf pdf_icon

GP2M012A080NG

GP2M012A080NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A

 5.1. Size:403K  globalpower
 gp2m012a060x.pdf pdf_icon

GP2M012A080NG

GP2M012A060H GP2M012A060F N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 12A

 8.1. Size:406K  globalpower
 gp2m010a060x.pdf pdf_icon

GP2M012A080NG

GP2M010A060H GP2M010A060F N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 10A

 8.2. Size:242K  globalpower
 gp2m013a050f.pdf pdf_icon

GP2M012A080NG

GP2M013A050F N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 13A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GP2M008A060XGX, GP2M008A060XXX, GP2M009A090FG, GP2M009A090NG, GP2M010A060X, GP2M010A065X, GP2M011A090NG, GP2M012A060X, AON7506, GP2M013A050F, GP2M020A050N, GP2M020A050X, GP2M020A060N, GP2M023A050N, GSM1012, GSM1012E, GSM1013