GP2M013A050F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GP2M013A050F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 52 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 35 nC
Tiempo de subida (tr): 61 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.48 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GP2M013A050F
GP2M013A050F Datasheet (PDF)
gp2m013a050f.pdf
GP2M013A050FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 13A
gp2m010a060x.pdf
GP2M010A060HGP2M010A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 10A
gp2m012a080ng.pdf
GP2M012A080NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A
gp2m011a090ng.pdf
GP2M011A090NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 11A
gp2m012a060x.pdf
GP2M012A060HGP2M012A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 12A
gp2m010a065x.pdf
GP2M010A065HGP2M010A065FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge650V 9.5A
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