GP2M013A050F Todos los transistores

 

GP2M013A050F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GP2M013A050F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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GP2M013A050F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  globalpower
 gp2m013a050f.pdf pdf_icon

GP2M013A050F

GP2M013A050FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 13A

 8.1. Size:406K  globalpower
 gp2m010a060x.pdf pdf_icon

GP2M013A050F

GP2M010A060HGP2M010A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 10A

 8.2. Size:570K  globalpower
 gp2m012a080ng.pdf pdf_icon

GP2M013A050F

GP2M012A080NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A

 8.3. Size:574K  globalpower
 gp2m011a090ng.pdf pdf_icon

GP2M013A050F

GP2M011A090NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 11A

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