Справочник MOSFET. GP2M013A050F

 

GP2M013A050F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GP2M013A050F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   trⓘ - Время нарастания: 61 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для GP2M013A050F

 

 

GP2M013A050F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  globalpower
gp2m013a050f.pdf

GP2M013A050F
GP2M013A050F

GP2M013A050FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 13A

 8.1. Size:406K  globalpower
gp2m010a060x.pdf

GP2M013A050F
GP2M013A050F

GP2M010A060HGP2M010A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 10A

 8.2. Size:570K  globalpower
gp2m012a080ng.pdf

GP2M013A050F
GP2M013A050F

GP2M012A080NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A

 8.3. Size:574K  globalpower
gp2m011a090ng.pdf

GP2M013A050F
GP2M013A050F

GP2M011A090NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 11A

 8.4. Size:403K  globalpower
gp2m012a060x.pdf

GP2M013A050F
GP2M013A050F

GP2M012A060HGP2M012A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 12A

 8.5. Size:401K  globalpower
gp2m010a065x.pdf

GP2M013A050F
GP2M013A050F

GP2M010A065HGP2M010A065FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge650V 9.5A

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top