GP2M013A050F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: GP2M013A050F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 61 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
GP2M013A050F Datasheet (PDF)
gp2m013a050f.pdf
GP2M013A050FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 13A
gp2m010a060x.pdf
GP2M010A060HGP2M010A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 10A
gp2m012a080ng.pdf
GP2M012A080NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A
gp2m011a090ng.pdf
GP2M011A090NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 11A
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: AP3R303GMT-L | SE6080A | STP5NB40 | MTP4835AQ8 | IRHMS67164 | STP28NM60ND | 2SK3532
History: AP3R303GMT-L | SE6080A | STP5NB40 | MTP4835AQ8 | IRHMS67164 | STP28NM60ND | 2SK3532
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet