GP2M013A050F datasheet, аналоги, параметры транзистора

GP2M013A050F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GP2M013A050F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для GP2M013A050F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:242K globalpower
gp2m013a050f.pdf pdf_icon

GP2M013A050F N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 13A

8.1. Size:406K globalpower
gp2m010a060x.pdf pdf_icon

GP2M010A060H GP2M010A060F N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 10A

8.2. Size:570K globalpower
gp2m012a080ng.pdf pdf_icon

GP2M012A080NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A

8.3. Size:574K globalpower
gp2m011a090ng.pdf pdf_icon

GP2M011A090NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 11A