GP2M020A050N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GP2M020A050N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 283 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO-3PN

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GP2M020A050N datasheet

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GP2M020A050N

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GP2M020A050N

GP2M020A050H GP2M020A050F N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 18A

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GP2M020A050N

GP2M020A60N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 20A

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GP2M020A050N

GP2M023A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A

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