GP2M020A050N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: GP2M020A050N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 61 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 283 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
GP2M020A050N Datasheet (PDF)
gp2m020a050n.pdf
GP2M020A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A
gp2m020a050x.pdf
GP2M020A050HGP2M020A050FN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 18A
gp2m020a060n.pdf
GP2M020A60N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 20A
gp2m023a050n.pdf
GP2M023A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: NCE3080L | VBZFB12P10 | IPI80N06S4L-05 | SI8497DB | IRHY9130CM | IPB180N04S4-01 | TK7A90E
History: NCE3080L | VBZFB12P10 | IPI80N06S4L-05 | SI8497DB | IRHY9130CM | IPB180N04S4-01 | TK7A90E
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526