GP2M020A050N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GP2M020A050N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 283 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для GP2M020A050N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP2M020A050N даташит

 ..1. Size:573K  globalpower
 gp2m020a050n.pdf pdf_icon

GP2M020A050N

 3.1. Size:415K  globalpower
 gp2m020a050x.pdf pdf_icon

GP2M020A050N

GP2M020A050H GP2M020A050F N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 18A

 5.1. Size:574K  globalpower
 gp2m020a060n.pdf pdf_icon

GP2M020A050N

GP2M020A60N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 20A

 8.1. Size:552K  globalpower
 gp2m023a050n.pdf pdf_icon

GP2M020A050N

GP2M023A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GP2M009A090FG, GP2M009A090NG, GP2M010A060X, GP2M010A065X, GP2M011A090NG, GP2M012A060X, GP2M012A080NG, GP2M013A050F, IRFP450, GP2M020A050X, GP2M020A060N, GP2M023A050N, GSM1012, GSM1012E, GSM1013, GSM1013E, GSM1016