GP2M020A050X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GP2M020A050X
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 283 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220F
- Selección de transistores por parámetros
GP2M020A050X Datasheet (PDF)
gp2m020a050x.pdf

GP2M020A050HGP2M020A050FN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 18A
gp2m020a050n.pdf

GP2M020A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A
gp2m020a060n.pdf

GP2M020A60N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 20A
gp2m023a050n.pdf

GP2M023A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: HSP0048 | S70N06R | FTK640P | FDD6696 | MTE65N20H8 | IRHMK57260SE | LN2306LT1G
History: HSP0048 | S70N06R | FTK640P | FDD6696 | MTE65N20H8 | IRHMK57260SE | LN2306LT1G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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