Справочник MOSFET. GP2M020A050X

 

GP2M020A050X MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GP2M020A050X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 44 nC
   trⓘ - Время нарастания: 61 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 283 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220F

 Аналог (замена) для GP2M020A050X

 

 

GP2M020A050X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  globalpower
 gp2m020a050x.pdf

GP2M020A050X GP2M020A050X

GP2M020A050HGP2M020A050FN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 18A

 3.1. Size:573K  globalpower
 gp2m020a050n.pdf

GP2M020A050X GP2M020A050X

GP2M020A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A

 5.1. Size:574K  globalpower
 gp2m020a060n.pdf

GP2M020A050X GP2M020A050X

GP2M020A60N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 20A

 8.1. Size:552K  globalpower
 gp2m023a050n.pdf

GP2M020A050X GP2M020A050X

GP2M023A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NT2955G

 

 
Back to Top