GP2M020A060N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GP2M020A060N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 347 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 87 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 346 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.33 Ohm

Encapsulados: TO-3PN

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GP2M020A060N datasheet

..1. Size:574K globalpower
gp2m020a060n.pdf pdf_icon

GP2M020A60N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 20A

5.1. Size:415K globalpower
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GP2M020A050H GP2M020A050F N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 18A

5.2. Size:573K globalpower
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8.1. Size:552K globalpower
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GP2M023A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A