Справочник MOSFET. GP2M020A060N

 

GP2M020A060N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP2M020A060N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 87 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 346 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GP2M020A060N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:574K  globalpower
 gp2m020a060n.pdf pdf_icon

GP2M020A060N

GP2M020A60N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 20A

 5.1. Size:415K  globalpower
 gp2m020a050x.pdf pdf_icon

GP2M020A060N

GP2M020A050HGP2M020A050FN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 18A

 5.2. Size:573K  globalpower
 gp2m020a050n.pdf pdf_icon

GP2M020A060N

GP2M020A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A

 8.1. Size:552K  globalpower
 gp2m023a050n.pdf pdf_icon

GP2M020A060N

GP2M023A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: ZVN2106A | STP50N05LFI | RJK2006DPF | PNMTOF600V4 | SPD18P06PG | FQU12N20TU | IRFU4105

 

 
Back to Top

 


 
.