Справочник MOSFET. GP2M020A060N

 

GP2M020A060N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP2M020A060N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 87 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 346 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для GP2M020A060N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP2M020A060N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:574K  globalpower
 gp2m020a060n.pdf pdf_icon

GP2M020A060N

GP2M020A60N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 20A

 5.1. Size:415K  globalpower
 gp2m020a050x.pdf pdf_icon

GP2M020A060N

GP2M020A050HGP2M020A050FN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 18A

 5.2. Size:573K  globalpower
 gp2m020a050n.pdf pdf_icon

GP2M020A060N

GP2M020A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A

 8.1. Size:552K  globalpower
 gp2m023a050n.pdf pdf_icon

GP2M020A060N

GP2M023A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GP2M010A060X , GP2M010A065X , GP2M011A090NG , GP2M012A060X , GP2M012A080NG , GP2M013A050F , GP2M020A050N , GP2M020A050X , P60NF06 , GP2M023A050N , GSM1012 , GSM1012E , GSM1013 , GSM1013E , GSM1016 , GSM1023 , GSM1024 .

History: IXFX30N110P | SI3420 | 2SK3273-01MR | ZXM61P03F | 2SK2715 | SM7A25NSU

 

 
Back to Top

 


 
.