GP2M020A060N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GP2M020A060N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 87 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 346 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для GP2M020A060N
GP2M020A060N Datasheet (PDF)
gp2m020a060n.pdf
GP2M020A60N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 20A
gp2m020a050x.pdf
GP2M020A050HGP2M020A050FN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 18A
gp2m020a050n.pdf
GP2M020A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A
gp2m023a050n.pdf
GP2M023A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918