GP2M020A060N datasheet, аналоги, параметры транзистора

GP2M020A060N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GP2M020A060N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 87 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 346 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для GP2M020A060N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:574K globalpower
gp2m020a060n.pdf pdf_icon

GP2M020A60N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 20A

5.1. Size:415K globalpower
gp2m020a050x.pdf pdf_icon

GP2M020A050H GP2M020A050F N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 18A

5.2. Size:573K globalpower
gp2m020a050n.pdf pdf_icon

8.1. Size:552K globalpower
gp2m023a050n.pdf pdf_icon

GP2M023A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A