GP2M023A050N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GP2M023A050N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 347 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3PN
Búsqueda de reemplazo de GP2M023A050N MOSFET
GP2M023A050N Datasheet (PDF)
gp2m023a050n.pdf
GP2M023A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A
gp2m020a060n.pdf
GP2M020A60N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 20A
gp2m020a050x.pdf
GP2M020A050HGP2M020A050FN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 18A
gp2m020a050n.pdf
GP2M020A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A
Otros transistores... GP2M010A065X , GP2M011A090NG , GP2M012A060X , GP2M012A080NG , GP2M013A050F , GP2M020A050N , GP2M020A050X , GP2M020A060N , 18N50 , GSM1012 , GSM1012E , GSM1013 , GSM1013E , GSM1016 , GSM1023 , GSM1024 , GSM1024E .
History: 2SK3414LS | BLS65R380-U | UT3458 | VBA4311 | 12N70KL-TF3T-T | 19N10G-TMS2-T | AP9487GM
History: 2SK3414LS | BLS65R380-U | UT3458 | VBA4311 | 12N70KL-TF3T-T | 19N10G-TMS2-T | AP9487GM
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
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