GP2M023A050N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GP2M023A050N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 347 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 64 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3PN
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GP2M023A050N
GP2M023A050N Datasheet (PDF)
gp2m023a050n.pdf
GP2M023A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A
gp2m020a060n.pdf
GP2M020A60N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 20A
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GP2M020A050HGP2M020A050FN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 18A
gp2m020a050n.pdf
GP2M020A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A
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Liste
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