GP2M023A050N Todos los transistores

 

GP2M023A050N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GP2M023A050N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 347 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN
     - Selección de transistores por parámetros

 

GP2M023A050N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:552K  globalpower
 gp2m023a050n.pdf pdf_icon

GP2M023A050N

GP2M023A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A

 8.1. Size:574K  globalpower
 gp2m020a060n.pdf pdf_icon

GP2M023A050N

GP2M020A60N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 20A

 8.2. Size:415K  globalpower
 gp2m020a050x.pdf pdf_icon

GP2M023A050N

GP2M020A050HGP2M020A050FN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 18A

 8.3. Size:573K  globalpower
 gp2m020a050n.pdf pdf_icon

GP2M023A050N

GP2M020A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A

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History: MRF5003 | IRFR120TR

 

 
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