Справочник MOSFET. GP2M023A050N

 

GP2M023A050N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP2M023A050N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 64 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для GP2M023A050N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP2M023A050N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:552K  globalpower
 gp2m023a050n.pdf pdf_icon

GP2M023A050N

GP2M023A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A

 8.1. Size:574K  globalpower
 gp2m020a060n.pdf pdf_icon

GP2M023A050N

GP2M020A60N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 20A

 8.2. Size:415K  globalpower
 gp2m020a050x.pdf pdf_icon

GP2M023A050N

GP2M020A050HGP2M020A050FN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 18A

 8.3. Size:573K  globalpower
 gp2m020a050n.pdf pdf_icon

GP2M023A050N

GP2M020A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GP2M010A065X , GP2M011A090NG , GP2M012A060X , GP2M012A080NG , GP2M013A050F , GP2M020A050N , GP2M020A050X , GP2M020A060N , 18N50 , GSM1012 , GSM1012E , GSM1013 , GSM1013E , GSM1016 , GSM1023 , GSM1024 , GSM1024E .

History: 2SK3371 | IRFBE30SPBF

 

 
Back to Top

 


 
.