GP2M023A050N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GP2M023A050N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 347 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 23 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 64 nC
Время нарастания (tr): 100 ns
Выходная емкость (Cd): 360 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.22 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для GP2M023A050N
GP2M023A050N Datasheet (PDF)
..1. Size:552K globalpower
gp2m023a050n.pdf
gp2m023a050n.pdf
GP2M023A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A
8.1. Size:574K globalpower
gp2m020a060n.pdf
gp2m020a060n.pdf
GP2M020A60N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 20A
8.2. Size:415K globalpower
gp2m020a050x.pdf
gp2m020a050x.pdf
GP2M020A050HGP2M020A050FN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 18A
8.3. Size:573K globalpower
gp2m020a050n.pdf
gp2m020a050n.pdf
GP2M020A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
