GSM1072 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GSM1072
   Código: 20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.27 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 1.06 nC
   Tiempo de subida (tr): 20 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 20 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-723

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM1072

GSM1072 Datasheet (PDF)

..1. Size:1003K globaltech semi
gsm1072.pdf

GSM1072 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1072, N-Channel enhancement mode 20V/0.8A,RDS(ON)=360m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/0.7A,RDS(ON)=420m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.6A,RDS(ON)=560m@VGS=1.8V Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for low

0.1. Size:515K globaltech semi
gsm1072e.pdf

GSM1072E 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1072E, N-Channel enhancement mode 20V/0.8A,RDS(ON)=360m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/0.7A,RDS(ON)=420m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.6A,RDS(ON)=560m@VGS=1.8V Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for lo

8.1. Size:625K globaltech semi
gsm1073e.pdf

GSM1073E 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1073E, P-Channel enhancement mode -20V/-0.6A,RDS(ON)=800m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-0.5A,RDS(ON)=950m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.4A,RDS(ON)=1250m@VGS=-1.8V Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly sui

8.2. Size:957K globaltech semi
gsm1073.pdf

GSM1073 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1073, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A,RDS(ON)=620m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-0.35A,RDS(ON)=860m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.25A,RDS(ON)=1450m@VGS=-1.8V Low Offset (Error) Voltage These devices are part

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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