GSM1563 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GSM1563
Código: 63*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 1 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 1.06 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 20 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM1563
GSM1563 Datasheet (PDF)
gsm1563.pdf
20V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1563, N & P Pair enhancement mode N-ChannelMOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/1.0A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.8A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/0.7A,RDS(ON)=580m@VGS=1.8V voltage power management, such a
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