GSM1563 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM1563

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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GSM1563 datasheet

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GSM1563

20V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1563, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/1.0A,RDS(ON)=280m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.8A,RDS(ON)=340m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/0.7A,RDS(ON)=580m @VGS=1.8V voltage power management, such a

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