GSM1563 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GSM1563
Маркировка: 63*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 1.06 nC
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 20 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
GSM1563 Datasheet (PDF)
..1. Size:1944K globaltech semi
gsm1563.pdf
gsm1563.pdf
20V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1563, N & P Pair enhancement mode N-ChannelMOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/1.0A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.8A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/0.7A,RDS(ON)=580m@VGS=1.8V voltage power management, such a
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: KI1539DL
