Справочник MOSFET. GSM1563

 

GSM1563 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM1563
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для GSM1563

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM1563 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1944K  globaltech semi
 gsm1563.pdf pdf_icon

GSM1563

20V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1563, N & P Pair enhancement mode N-ChannelMOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/1.0A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.8A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/0.7A,RDS(ON)=580m@VGS=1.8V voltage power management, such a

Другие MOSFET... GSM1303 , GSM1304 , GSM1304E , GSM1306 , GSM1330S , GSM1413 , GSM1433 , GSM1443 , MMIS60R580P , GSM1810 , GSM1912 , GSM1913 , GSM2014 , GSM2301 , GSM2301A , GSM2301AS , GSM2301S .

History: GSM2304 | AONS36306 | AP18N20GH-HF | STS1HNK60 | 2SK2805 | UPA2793GR | IMW120R350M1H

 

 
Back to Top

 


 
.