GSM1563 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM1563

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для GSM1563

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM1563 даташит

 ..1. Size:1944K  globaltech semi
 gsm1563.pdf pdf_icon

GSM1563

20V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1563, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/1.0A,RDS(ON)=280m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.8A,RDS(ON)=340m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/0.7A,RDS(ON)=580m @VGS=1.8V voltage power management, such a

Другие IGBT... GSM1303, GSM1304, GSM1304E, GSM1306, GSM1330S, GSM1413, GSM1433, GSM1443, 7N60, GSM1810, GSM1912, GSM1913, GSM2014, GSM2301, GSM2301A, GSM2301AS, GSM2301S