GSM2014 Todos los transistores

 

GSM2014 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM2014

Código: 2014

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 40 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1 V

Carga de compuerta (Qg): 13 nC

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 285 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.014 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-252-2L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM2014

 

GSM2014 Datasheet (PDF)

1.1. gsm2014.pdf Size:969K _update-mosfet

GSM2014
GSM2014

GSM2014 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2014, N-Channel enhancement mode  20V/10A,RDS(ON)=14mΩ@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to  20V/8A,RDS(ON)=17mΩ@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge.  20V/5A,RDS(ON)=21mΩ@VGS=1.8V  Super high density cell design for extremely These devices are particularl

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


GSM2014
  GSM2014
  GSM2014
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: SWP069R10VS | SWD069R10VS | SWI069R10VS | NTHL082N65S3F | NSVJ3557SA3 | NP90N06VLG | NP90N055VUK | NP90N055VUG | NP90N055VDG | NP90N055PUH | NP90N055PDH | NP90N055NUK | NP90N055NUH | NP90N055NDH | NP90N055MUK |

 

 

 
Back to Top