GSM2014 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM2014

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO-252-2L

Аналог (замена) для GSM2014

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM2014 даташит

 ..1. Size:969K  globaltech semi
 gsm2014.pdf pdf_icon

GSM2014

GSM2014 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2014, N-Channel enhancement mode 20V/10A,RDS(ON)=14m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/8A,RDS(ON)=17m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/5A,RDS(ON)=21m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are particularl

Другие IGBT... GSM1330S, GSM1413, GSM1433, GSM1443, GSM1563, GSM1810, GSM1912, GSM1913, IRLB3034, GSM2301, GSM2301A, GSM2301AS, GSM2301S, GSM2302AS, GSM2302S, GSM2303, GSM2303A