Справочник MOSFET. GSM2014

 

GSM2014 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM2014
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO-252-2L
 

 Аналог (замена) для GSM2014

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM2014 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:969K  globaltech semi
 gsm2014.pdf pdf_icon

GSM2014

GSM2014 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2014, N-Channel enhancement mode 20V/10A,RDS(ON)=14m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/8A,RDS(ON)=17m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/5A,RDS(ON)=21m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are particularl

Другие MOSFET... GSM1330S , GSM1413 , GSM1433 , GSM1443 , GSM1563 , GSM1810 , GSM1912 , GSM1913 , 60N06 , GSM2301 , GSM2301A , GSM2301AS , GSM2301S , GSM2302AS , GSM2302S , GSM2303 , GSM2303A .

History: 2SK1887 | FMV16N50E | CS12N60FA9H | BLS60R036-W

 

 
Back to Top

 


 
.