GSM2519 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM2519

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: DFN2X2-6L

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GSM2519 datasheet

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GSM2519

GSM2519 GSM2519 20V N&P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2519, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/4.5A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.6A,RDS(ON)=60m @VGS=2.5V 20V/2.4A,RDS(ON)=80m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage

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