GSM2519 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM2519

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2-6L

Аналог (замена) для GSM2519

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM2519 даташит

 ..1. Size:1714K  globaltech semi
 gsm2519.pdf pdf_icon

GSM2519

GSM2519 GSM2519 20V N&P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2519, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/4.5A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.6A,RDS(ON)=60m @VGS=2.5V 20V/2.4A,RDS(ON)=80m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage

Другие IGBT... GSM2337A, GSM2341, GSM2343A, GSM2354, GSM2367AS, GSM2367S, GSM2376, GSM2379, STP75NF75, GSM2604, GSM2911, GSM2912, GSM2913W, GSM3009S, GSM3015S, GSM3016S, GSM3019S