Справочник MOSFET. GSM2519

 

GSM2519 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM2519
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L
 

 Аналог (замена) для GSM2519

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM2519 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1714K  globaltech semi
 gsm2519.pdf pdf_icon

GSM2519

GSM2519 GSM2519 20V N&P Pair Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM2519, N & P Pair enhancement mode N-ChannelMOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/4.5A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.6A,RDS(ON)=60m@VGS=2.5V 20V/2.4A,RDS(ON)=80m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low P-Channelvoltage

Другие MOSFET... GSM2337A , GSM2341 , GSM2343A , GSM2354 , GSM2367AS , GSM2367S , GSM2376 , GSM2379 , 12N60 , GSM2604 , GSM2911 , GSM2912 , GSM2913W , GSM3009S , GSM3015S , GSM3016S , GSM3019S .

History: BLF6G38-10G

 

 
Back to Top

 


 
.