GSM2604 Todos los transistores

 

GSM2604 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GSM2604
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252-2L
 

 Búsqueda de reemplazo de GSM2604 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

GSM2604 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:981K  globaltech semi
 gsm2604.pdf pdf_icon

GSM2604

40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2604, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)= 22m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/12A,RDS(ON)= 40m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power

Otros transistores... GSM2341 , GSM2343A , GSM2354 , GSM2367AS , GSM2367S , GSM2376 , GSM2379 , GSM2519 , K3569 , GSM2911 , GSM2912 , GSM2913W , GSM3009S , GSM3015S , GSM3016S , GSM3019S , GSM3025S .

 

 
Back to Top

 


GSM2604   GSM2604   GSM2604  

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362

 


 
.