GSM2604 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM2604

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TO-252-2L

 Búsqueda de reemplazo de GSM2604 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

GSM2604 datasheet

 ..1. Size:981K  globaltech semi
 gsm2604.pdf pdf_icon

GSM2604

40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2604, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)= 22m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/12A,RDS(ON)= 40m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power

Otros transistores... GSM2341, GSM2343A, GSM2354, GSM2367AS, GSM2367S, GSM2376, GSM2379, GSM2519, 2N7002, GSM2911, GSM2912, GSM2913W, GSM3009S, GSM3015S, GSM3016S, GSM3019S, GSM3025S