Справочник MOSFET. GSM2604

 

GSM2604 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM2604
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO-252-2L
 

 Аналог (замена) для GSM2604

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM2604 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:981K  globaltech semi
 gsm2604.pdf pdf_icon

GSM2604

40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2604, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)= 22m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/12A,RDS(ON)= 40m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power

Другие MOSFET... GSM2341 , GSM2343A , GSM2354 , GSM2367AS , GSM2367S , GSM2376 , GSM2379 , GSM2519 , K4145 , GSM2911 , GSM2912 , GSM2913W , GSM3009S , GSM3015S , GSM3016S , GSM3019S , GSM3025S .

History: HM4N65 | MDS3653URH | IXFN82N60Q3

 

 
Back to Top

 


 
.