GSM2604 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM2604

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO-252-2L

Аналог (замена) для GSM2604

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM2604 даташит

 ..1. Size:981K  globaltech semi
 gsm2604.pdf pdf_icon

GSM2604

40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2604, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)= 22m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/12A,RDS(ON)= 40m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power

Другие IGBT... GSM2341, GSM2343A, GSM2354, GSM2367AS, GSM2367S, GSM2376, GSM2379, GSM2519, 2N7002, GSM2911, GSM2912, GSM2913W, GSM3009S, GSM3015S, GSM3016S, GSM3019S, GSM3025S