GSM3679S Todos los transistores

 

GSM3679S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GSM3679S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 495 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252-2L
 

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GSM3679S Datasheet (PDF)

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GSM3679S

GSM3679S 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3679S, P-Channel enhancement mode -30V/-20A,RDS(ON)=10m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-15A,RDS(ON)=15m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for l

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History: IXTQ102N20T | IRL1104L | APTM100H45SCTG | MSAEX8P50A | KND3508A | R6020KNX | IXFB50N80Q2

 

 
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