Справочник MOSFET. GSM3679S

 

GSM3679S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM3679S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 495 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-252-2L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM3679S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:821K  globaltech semi
 gsm3679s.pdf pdf_icon

GSM3679S

GSM3679S 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3679S, P-Channel enhancement mode -30V/-20A,RDS(ON)=10m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-15A,RDS(ON)=15m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for l

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: NVF2201N | AP3C023AMT | 2SJ194 | SGS150MA010D1 | STP21N06L | TPM1012R3 | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.