GSM3679S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: GSM3679S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 495 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: TO-252-2L
Аналог (замена) для GSM3679S
GSM3679S Datasheet (PDF)
gsm3679s.pdf

GSM3679S 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3679S, P-Channel enhancement mode -30V/-20A,RDS(ON)=10m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-15A,RDS(ON)=15m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for l
Другие MOSFET... GSM3459 , GSM3460 , GSM3466 , GSM3481S , GSM3484 , GSM3484S , GSM3485 , GSM3497 , IRFZ44N , GSM3804 , GSM3806W , GSM3814W , GSM3911W , GSM3981 , GSM3993 , GSM4048WS , GSM4102W .
History: RJK0303DPB | PSMN1R2-25YLC | DH240N06LD | GSM4048WS | DH400P06LD | DH240N06LI | DH140N10B
History: RJK0303DPB | PSMN1R2-25YLC | DH240N06LD | GSM4048WS | DH400P06LD | DH240N06LI | DH140N10B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent