Справочник MOSFET. GSM3679S

 

GSM3679S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM3679S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 495 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-252-2L
 

 Аналог (замена) для GSM3679S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM3679S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:821K  globaltech semi
 gsm3679s.pdf pdf_icon

GSM3679S

GSM3679S 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3679S, P-Channel enhancement mode -30V/-20A,RDS(ON)=10m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-15A,RDS(ON)=15m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for l

Другие MOSFET... GSM3459 , GSM3460 , GSM3466 , GSM3481S , GSM3484 , GSM3484S , GSM3485 , GSM3497 , IRFZ44N , GSM3804 , GSM3806W , GSM3814W , GSM3911W , GSM3981 , GSM3993 , GSM4048WS , GSM4102W .

History: SSG4410N | MEE3712F

 

 
Back to Top

 


 
.