GSM3679S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM3679S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 495 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO-252-2L

Аналог (замена) для GSM3679S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM3679S даташит

 ..1. Size:821K  globaltech semi
 gsm3679s.pdf pdf_icon

GSM3679S

GSM3679S 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3679S, P-Channel enhancement mode -30V/-20A,RDS(ON)=10m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-15A,RDS(ON)=15m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for l

Другие IGBT... GSM3459, GSM3460, GSM3466, GSM3481S, GSM3484, GSM3484S, GSM3485, GSM3497, IRFZ44N, GSM3804, GSM3806W, GSM3814W, GSM3911W, GSM3981, GSM3993, GSM4048WS, GSM4102W