GSM3806W Todos los transistores

 

GSM3806W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GSM3806W
   Código: 3806W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.65 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM3806W

 

GSM3806W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:883K  globaltech semi
gsm3806w.pdf

GSM3806W
GSM3806W

GSM3806W GSM3806W 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFEProduct Description Features GSM3806W, N-Channel enhancement mode 20V/9A,RDS(ON)=26m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/8A,RDS(ON)=32m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/6A,RDS(ON)=42m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremelyThese devices are par

 8.1. Size:1264K  globaltech semi
gsm3804.pdf

GSM3806W
GSM3806W

40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3804, P-Channel enhancement mode -40V/-10A,RDS(ON)= 38m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/ -8A,RDS(ON)= 54m@VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS(ON) voltage

 9.1. Size:926K  globaltech semi
gsm3814w.pdf

GSM3806W
GSM3806W

GSM3814W GSM3814W 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3814W, N-Channel enhancement mode 20V/14A,RDS(ON)=14m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/12A,RDS(ON)=18m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/10A,RDS(ON)=30m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremelyThese devices ar

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


GSM3806W
  GSM3806W
  GSM3806W
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: PZF010HK | PZC010HK | PZC010BL | PZ607UZ | PZ5S6JZ | PZ5S6EA | PZ5G7EA | PZ5D8JZ | PZ5D8EA | PZ567JZ | PZ5203EMAA | PX607UZ | PX5S6JZ | PX5S6EA | PX5D8JZ-T | PX5D8EA

 

 

 
Back to Top