Справочник MOSFET. GSM3806W

 

GSM3806W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GSM3806W
   Маркировка: 3806W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.65 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L

 Аналог (замена) для GSM3806W

 

 

GSM3806W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:883K  globaltech semi
 gsm3806w.pdf

GSM3806W GSM3806W

GSM3806W GSM3806W 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFEProduct Description Features GSM3806W, N-Channel enhancement mode 20V/9A,RDS(ON)=26m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/8A,RDS(ON)=32m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/6A,RDS(ON)=42m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremelyThese devices are par

 8.1. Size:1264K  globaltech semi
 gsm3804.pdf

GSM3806W GSM3806W

40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3804, P-Channel enhancement mode -40V/-10A,RDS(ON)= 38m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/ -8A,RDS(ON)= 54m@VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS(ON) voltage

 9.1. Size:926K  globaltech semi
 gsm3814w.pdf

GSM3806W GSM3806W

GSM3814W GSM3814W 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3814W, N-Channel enhancement mode 20V/14A,RDS(ON)=14m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/12A,RDS(ON)=18m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/10A,RDS(ON)=30m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremelyThese devices ar

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top