GSM3814W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GSM3814W
Código: 3814W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 14 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 13 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 285 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.014 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM3814W
GSM3814W Datasheet (PDF)
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