GSM3814W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM3814W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: DFN3X3-8L

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GSM3814W datasheet

 ..1. Size:926K  globaltech semi
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GSM3814W

GSM3814W GSM3814W 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3814W, N-Channel enhancement mode 20V/14A,RDS(ON)=14m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/12A,RDS(ON)=18m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/10A,RDS(ON)=30m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices ar

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GSM3814W

40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3804, P-Channel enhancement mode -40V/-10A,RDS(ON)= 38m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/ -8A,RDS(ON)= 54m @VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS(ON) voltage

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GSM3814W

GSM3806W GSM3806W 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFE Product Description Features GSM3806W, N-Channel enhancement mode 20V/9A,RDS(ON)=26m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/8A,RDS(ON)=32m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/6A,RDS(ON)=42m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are par

Otros transistores... GSM3481S, GSM3484, GSM3484S, GSM3485, GSM3497, GSM3679S, GSM3804, GSM3806W, IRF840, GSM3911W, GSM3981, GSM3993, GSM4048WS, GSM4102W, GSM4124WS, GSM4134, GSM4134W