Справочник MOSFET. GSM3814W

 

GSM3814W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GSM3814W
   Маркировка: 3814W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 13 nC
   Время нарастания (tr): 10 ns
   Выходная емкость (Cd): 285 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L

 Аналог (замена) для GSM3814W

 

 

GSM3814W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:926K  globaltech semi
gsm3814w.pdf

GSM3814W
GSM3814W

GSM3814W GSM3814W 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3814W, N-Channel enhancement mode 20V/14A,RDS(ON)=14m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/12A,RDS(ON)=18m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/10A,RDS(ON)=30m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremelyThese devices ar

 9.1. Size:1264K  globaltech semi
gsm3804.pdf

GSM3814W
GSM3814W

40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3804, P-Channel enhancement mode -40V/-10A,RDS(ON)= 38m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/ -8A,RDS(ON)= 54m@VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS(ON) voltage

 9.2. Size:883K  globaltech semi
gsm3806w.pdf

GSM3814W
GSM3814W

GSM3806W GSM3806W 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFEProduct Description Features GSM3806W, N-Channel enhancement mode 20V/9A,RDS(ON)=26m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/8A,RDS(ON)=32m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/6A,RDS(ON)=42m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremelyThese devices are par

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top