GSM3981 Todos los transistores

 

GSM3981 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GSM3981
   Código: 81*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3.2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.7 V
   Carga de la puerta (Qg): 5.8 nC
   Tiempo de subida (tr): 36 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 223 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM3981

 

GSM3981 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:417K  globaltech semi
gsm3981.pdf

GSM3981
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20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3981, P-Channel enhancement mode -20V/-3.2A,RDS(ON)=100m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.4A,RDS(ON)=135m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.5A,RDS(ON)=190m@VGS=-1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell

 9.1. Size:467K  globaltech semi
gsm3993.pdf

GSM3981
GSM3981

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3993, P-Channel enhancement mode -30V/-3.6A,RDS(ON)=150m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-3.2A,RDS(ON)=235m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) volt

 9.2. Size:1307K  globaltech semi
gsm3911w.pdf

GSM3981
GSM3981

GSM3911W GSM3911W 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3911W, P-Channel enhancement mode -30V/-3.0A,RDS(ON)=68m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-2.0A,RDS(ON)=95m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited f

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