GSM3981 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GSM3981
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 36 ns
Выходная емкость (Cd): 223 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
GSM3981 Datasheet (PDF)
gsm3981.pdf
20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3981, P-Channel enhancement mode -20V/-3.2A,RDS(ON)=100m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.4A,RDS(ON)=135m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.5A,RDS(ON)=190m@VGS=-1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell
gsm3993.pdf
30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3993, P-Channel enhancement mode -30V/-3.6A,RDS(ON)=150m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-3.2A,RDS(ON)=235m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) volt
gsm3911w.pdf
GSM3911W GSM3911W 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3911W, P-Channel enhancement mode -30V/-3.0A,RDS(ON)=68m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-2.0A,RDS(ON)=95m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited f
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
