GSM3981 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: GSM3981
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
Аналог (замена) для GSM3981
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
GSM3981 даташит
gsm3981.pdf
20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3981, P-Channel enhancement mode -20V/-3.2A,RDS(ON)=100m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.4A,RDS(ON)=135m @VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.5A,RDS(ON)=190m @VGS=-1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell
gsm3993.pdf
30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3993, P-Channel enhancement mode -30V/-3.6A,RDS(ON)=150m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-3.2A,RDS(ON)=235m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) volt
gsm3911w.pdf
GSM3911W GSM3911W 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3911W, P-Channel enhancement mode -30V/-3.0A,RDS(ON)=68m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-2.0A,RDS(ON)=95m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited f
Другие IGBT... GSM3484S, GSM3485, GSM3497, GSM3679S, GSM3804, GSM3806W, GSM3814W, GSM3911W, IRF540N, GSM3993, GSM4048WS, GSM4102W, GSM4124WS, GSM4134, GSM4134W, GSM4172S, GSM4172WS
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM40N60KQ | ASDM40N40E | ASDM40N100P | ASDM40DN20E | ASDM3416EZA | ASDM3415ZA | ASDM3401ZA | ASDM3401 | ASDM3400ZA | ASDM30P30BE | RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ
Popular searches
irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor



