GSM4048WS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GSM4048WS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8P
Búsqueda de reemplazo de GSM4048WS MOSFET
GSM4048WS Datasheet (PDF)
gsm4048ws.pdf

GSM4048WS 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4048WS, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=8m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=10m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low
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History: IRFR3412PBF | HRLU1B8N10K
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Liste
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