Справочник MOSFET. GSM4048WS

 

GSM4048WS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM4048WS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
 

 Аналог (замена) для GSM4048WS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM4048WS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:913K  globaltech semi
 gsm4048ws.pdf pdf_icon

GSM4048WS

GSM4048WS 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4048WS, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=8m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=10m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

Другие MOSFET... GSM3497 , GSM3679S , GSM3804 , GSM3806W , GSM3814W , GSM3911W , GSM3981 , GSM3993 , 50N06 , GSM4102W , GSM4124WS , GSM4134 , GSM4134W , GSM4172S , GSM4172WS , GSM4210 , GSM4210W .

History: PV6A6BA | SVG104R5NT | RFD7N10LESM | RUQ050N02FRA | AMA930N | IPB048N15N5

 

 
Back to Top

 


 
.