GSM4172WS Todos los transistores

 

GSM4172WS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GSM4172WS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8P
 

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GSM4172WS datasheet

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GSM4172WS

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GSM4172WS

GSM4172S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4172S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=12m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/13A,RDS(ON)=15m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 9.1. Size:1293K  globaltech semi
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GSM4172WS

GSM4124WS 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features 40V/14A,RDS(ON)=8m @VGS=10V GSM4124WS, N-Channel enhancement mode 40V/12A,RDS(ON)=9m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to Super high density cell design for extremely provide excellent RDS(ON), low gate charge. low RDS (ON) SOP-8P package design These devices are particul

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GSM4172WS

GSM4102W 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4102W, N-Channel enhancement mode 100V/3.8A,RDS(ON)=158m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 100V/3.0A,RDS(ON)=175m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for

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History: DG2N60-252 | CSFR4N60D

 

 
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