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GSM4228 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GSM4228
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8P

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM4228

 

Principales características: GSM4228

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GSM4228

GSM4228 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4228, N-Channel enhancement mode 20V/8A,RDS(ON)=12m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/6A,RDS(ON)=15m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/5A,RDS(ON)=20m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are particularly

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GSM4228

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GSM4228

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4214, N-Channel enhancement mode 30V/9A,RDS(ON)=16m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/8A,RDS(ON)=20m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. These Super high density cell design for extremely devices are particularly suited for low voltage low RDS (ON) power mana

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GSM4228

GSM4214W 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4214W, N-Channel enhancement mode 30V/9A,RDS(ON)=16m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/8A,RDS(ON)=18m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low S

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