Справочник MOSFET. GSM4228

 

GSM4228 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM4228
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
 

 Аналог (замена) для GSM4228

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM4228 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:937K  globaltech semi
 gsm4228.pdf pdf_icon

GSM4228

GSM4228 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4228, N-Channel enhancement mode 20V/8A,RDS(ON)=12m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/6A,RDS(ON)=15m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/5A,RDS(ON)=20m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 9.1. Size:937K  globaltech semi
 gsm4210w.pdf pdf_icon

GSM4228

GSM4210W 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4210W, N-Channel enhancement mode 30V/6.8A,RDS(ON)=32m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/5.6A,RDS(ON)=40m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 9.2. Size:824K  globaltech semi
 gsm4214.pdf pdf_icon

GSM4228

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4214, N-Channel enhancement mode 30V/9A,RDS(ON)=16m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/8A,RDS(ON)=20m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. These Super high density cell design for extremely devices are particularly suited for low voltage low RDS (ON) power mana

 9.3. Size:794K  globaltech semi
 gsm4214w.pdf pdf_icon

GSM4228

GSM4214W 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4214W, N-Channel enhancement mode 30V/9A,RDS(ON)=16m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/8A,RDS(ON)=18m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM4134 , GSM4134W , GSM4172S , GSM4172WS , GSM4210 , GSM4210W , GSM4214 , GSM4214W , P55NF06 , GSM4248W , GSM4401S , GSM4403 , GSM4412 , GSM4412W , GSM4422 , MTB36N06V , PHP36N06E .

History: LTP70N06P

 

 
Back to Top

 


 
.